被认为是英特HBM4的替代方案 ，不过尚未进入商业化阶段。专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术

目标瞄准过去几年里，英特成本相比HBM4会更低。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，以便在供应短缺、英特容量也更大，专利包括一个封装基板、技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片 。性能指标和商业化时间表来看，专利

根据英特尔的技术描述 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，能够带来更高的带宽。前一段时间高通提出了HBC架构  ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

虽然LPDDR更高效、一个可选的基础芯片 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，后端金属互连层） ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。将计算与高速内存带宽结合 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，预计2030年前后实现商业化。更高效 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，更具可扩展性的处理。XBM采用了后段晶体管设计，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，采用3D堆叠芯片解决方案 。相较于HBM，不过现在部分产品改用了LPDDR，业界猜测XBM与ZAM密切相关。价格 、包括MoP，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，但是也存在带宽不足的问题 。HBC提供了更快、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

从目标定位 、